سامسونگ الکترونیکس (Samsung Electronics) به‌عنوان پیشرو در صنعت حافظه، به‌طور رسمی آغاز تولید انبوه و ارسال تجاری نسل بعدی حافظه‌های خود با نام حافظه HBM4 را اعلام کرد. این دستاورد بزرگ، جایگاه سامسونگ را در بازار حافظه‌های پهنای باند بالا (HBM) تثبیت می‌کند و استانداردهای جدیدی را برای سرعت و ظرفیت تعریف می‌نماید.

خلاصه در یک نگاه:

🔹 آغاز تولید انبوه و عرضه حافظه HBM4
🔹 دستیابی به سرعت ۱۳ گیگابیت‌برثانیه و پهنای باند ۳.۳ ترابایت‌برثانیه
🔹 ظرفیت تا ۴۸ گیگابایت در پشته‌های ۱۶ لایه
🔹 بهبود ۴۰ درصدی بهره‌وری انرژی نسبت به HBM3E
🔹 عرضه نمونه‌های HBM4E در نیمه دوم ۲۰۲۶

این تراشه‌های جدید قرار است در قدرتمندترین پردازنده‌های دیتاسنتر جهان، از جمله تراشه‌های «ورا روبین» (Vera Rubin) انویدیا و سری «Instinct MI450» شرکت AMD مورد استفاده قرار گیرند. سامسونگ با بهره‌گیری از فرآیند ساخت DRAM کلاس ۱۰ نانومتری (نسل ششم 1c) و فرآیند منطقی ۴ نانومتری، توانسته است بدون نیاز به بازطراحی اضافی، به بازدهی پایدار دست یابد.

مشخصات فنی و عملکرد بی‌نظیر

سامسونگ با معرفی حافظه HBM4، مرزهای عملکرد را جابه‌جا کرده است. این حافظه سرعت پردازشی پایداری معادل ۱۱.۷ گیگابیت‌برثانیه ارائه می‌دهد که حدود ۴۶ درصد بیشتر از استاندارد فعلی صنعت (۸ گیگابیت‌برثانیه) است. همچنین قابلیت افزایش سرعت تا ۱۳ گیگابیت‌برثانیه وجود دارد که گلوگاه‌های داده در مدل‌های بزرگ هوش مصنوعی را برطرف می‌کند.

سامسونگ تولید انبوه حافظه HBM4 را آغاز کرد.

ویژگی‌های کلیدی این نسل عبارت‌اند از:

پهنای باند: ۳.۳ ترابایت‌برثانیه در هر پشته (۲.۷ برابر بیشتر از HBM3E)
ظرفیت: ارائه مدل‌های ۲۴ و ۳۶ گیگابایتی (۱۲ لایه) و ۴۸ گیگابایتی (۱۶ لایه)
تعداد پین‌ها: افزایش دو برابری ورودی/خروجی به ۲۰۴۸ پین
بهره‌وری انرژی: ۴۰ درصد مصرف انرژی کمتر نسبت‌به نسل قبل
مدیریت حرارت: ۳۰ درصد دفع حرارت بهتر نسبت‌به HBM3E

معماری پیشرفته برای دیتاسنترهای آینده

یکی از چالش‌های اصلی در دو برابر کردن تعداد پین‌ها (از ۱۰۲۴ به ۲۰۴۸)، مدیریت مصرف برق و حرارت است. سامسونگ برای حل این مشکل، راهکارهای طراحی کم‌مصرف پیشرفته‌ای را در دای (Die) اصلی ادغام کرده است. استفاده از فناوری TSV (اتصال از طریق سیلیکون) با ولتاژ پایین و بهینه‌سازی شبکه توزیع برق، باعث شده است تا این تراشه‌ها نه‌تنها سریع‌تر، بلکه خنک‌تر عمل کنند.

جدول زیر مقایسه خلاصه بین نسل جدید و قدیم را نشان می‌دهد:

مشخصه
حافظه HBM3E
حافظه HBM4

حداکثر سرعت پین
۹.۶ گیگابیت‌برثانیه
تا ۱۳ گیگابیت‌برثانیه

پهنای باند هر پشته
۱.۲ ترابایت‌برثانیه
۳.۳ ترابایت‌برثانیه

تعداد پین I/O
۱۰۲۴
۲۰۴۸

مشخصات حافظه HBM4 سامسونگ؛ ۳.۳ ترابایت‌برثانیه پهنای باند برای هوش مصنوعی

نقشه راه آینده: سه‌برابر شدن فروش تا ۲۰۲۶

سامسونگ پیش‌بینی می‌کند که فروش حافظه‌های HBM در سال ۲۰۲۶ نسبت‌به سال ۲۰۲۵ بیش از سه برابر شود. این شرکت به‌منظور پاسخگویی به تقاضای فزاینده، ظرفیت تولید خود را به‌سرعت گسترش می‌دهد.

طبق برنامه اعلام‌شده، پس از عرضه موفقیت‌آمیز HBM4، نمونه‌برداری از نسل بعدی یعنی HBM4E در نیمه دوم سال ۲۰۲۶ آغاز خواهد شد. همچنین حافظه‌های سفارشی (Custom HBM) بر اساس مشخصات مشتریان از سال ۲۰۲۷ وارد بازار می‌شوند.

به‌نظر شما آیا جهش سرعت در حافظه‌های HBM4 می‌تواند سرعت توسعه هوش مصنوعی را به‌طور چشمگیری تغییر دهد؟

بفرست برای دوستات